TPDVxx40 40 A high voltage Triacs Datasheet - production data Description (cid:36)(cid:21) The TPDVxx40 series use a high performance alternistor technology. Featuring very high commutation levels and high surge current (cid:42) capability, this family is well adapted to power (cid:36)(cid:20) control on inductive load (motor, transformer...). Table 1. Device summary (cid:36)(cid:20) Blocking On-state Gate (cid:36)(cid:21) (cid:42) Parameter voltage current current V /V I I DRM RRM T(RMS) GT (cid:55)(cid:50)(cid:51)(cid:22)(cid:3)(cid:76)(cid:81)(cid:86)(cid:88)(cid:79)(cid:68)(cid:87)(cid:72)(cid:71) TPDV640RG 600 V TPDV840RG 800 V 40 A 200 mA Features TPDV1240RG 1200 V • On-state current (I ): 40 A T(RMS) • Max. blocking voltage (V /V ): 1200 V DRM RRM • Gate current (I ): 200 mA GT • Commutation at 10 V/µs: up to 142 A/ms • Noise immunity: 500 V/µs • Insulated package: – 2,500 V rms (UL recognized: E81734) June 2015 DocID18270 Rev 2 1/8 This is information on a product in full production. www.st.com

Characteristics TPDVxx40 1 Characteristics Table 2. Absolute ratings (limiting values) Symbol Parameter Value Unit I On-state rms current (180° conduction angle) T = 75 °C 40 A T(RMS) c t = 2.5 ms 590 p Non repetitive surge peak on-state I t = 8.3 ms T = 25 °C 370 A TSM current p j t = 10 ms 350 p I2t I2t value for fusing t = 10 ms T = 25 °C 610 A2S p j Critical rate of rise of on-state current Repetitive F = 50 Hz 20 dI/dt A/µs IG = 500 mA; dlG/dt = 1 A/µs Non repetitive 100 TPDV640 600 V DRM Repetitive peak off-state voltage TPDV840 T = 125 °C 800 V V j RRM TPDV1240 1200 T Storage junction temperature range -40 to +150 stg °C Tj Operating junction temperature range -40 to +125 T Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 2 mm from case 260 °C L V (1) Insulation rms voltage 2500 V INS(RMS) 1. A1, A2, gate terminals to case for 1 minute T able 3. Electrical Characteristics (T = 25 °C, unless otherwise specified) j Symbol Test condition Quadrant Value Unit I Max. 200 mA GT V = 12 V DC, R = 33 Ω I - II - III D L V Max. 1.5 V GT V V = V R = 3.3 kΩ T = 125 °C I - II - III Min. 0.2 V GD D DRM L j t V = V I = 500 mA dl /dt = 3A/µs I - II - III Typ. 2.5 µs gt D DRM G G I (1) I = 500 mA Gate open Typ. 50 mA H T I - III 100 I I = 1.2 x I Typ. mA L G GT II 200 Linear slope up to : dV/dt T = 125 °C Min. 500 V/µs V = 67% V Gate open j D DRM V (1) I = 56 A t = 380 µs Max. 1.8 V TM TM p IDRM V V Tj = 25 °C Max. 20 µA IRRM DRM = RRM Tj = 125 °C 8 mA (dV/dt)c = 200 V/µs 35 (dI/dt)c (1) T = 125 °C Min. A/ms j (dV/dt)c = 10 V/µs 142 1. For either polarity of electrode A voltage with reference to electrode A . 2 1 2/8 DocID18270 Rev 2

TPDVxx40 Characteristics Table 4. Gate characteristics (maximum values) Symbol Parameter Value Unit P Average gate power dissipation 1 W G(AV) P Peak gate power dissipation t = 20 µs 40 W GM p I Peak gate current t = 20 µs 8 A GM p V Peak positive gate voltage t = 20 µs 16 V GM p Table 5. Thermal resistance Symbol Parameter Value Unit R Junction to ambient 50 °C/W th(j-a) R DC Junction to case for DC 1.2 °C/W th(j-c) R AC Junction to case for 360 °conduction angle (F = 50 Hz) 0.9 °C/W th(j-c) Figure 1. Max. rms power dissipation versus Figure 2. Max. rms power dissipation and max. on-state rms current (F=50 Hz) allowable temperatures (T and T ) for amb case (curveslimitedby (dI/dt)c) various R th (cid:51)(cid:11)(cid:58)(cid:12) (cid:51)(cid:11)(cid:58)(cid:12) (cid:55)(cid:70)(cid:68)(cid:86)(cid:72)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) (cid:25)(cid:19) (cid:25)(cid:19) (cid:0)(cid:32)(cid:3)(cid:20)(cid:27)(cid:19)(cid:131) (cid:53)(cid:87)(cid:75)(cid:32)(cid:3)(cid:19)(cid:17)(cid:21)(cid:24)(cid:131)(cid:38)(cid:18)(cid:58) (cid:24)(cid:19) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:53)(cid:87)(cid:75)(cid:32)(cid:3)(cid:19)(cid:17)(cid:26)(cid:24)(cid:131)(cid:38)(cid:18)(cid:58) (cid:53)(cid:87)(cid:75)(cid:32)(cid:3)(cid:19)(cid:131)(cid:38)(cid:18)(cid:58) (cid:23)(cid:19) (cid:0)(cid:32)(cid:3)(cid:20)(cid:21)(cid:19)(cid:131) (cid:23)(cid:19) (cid:53)(cid:87)(cid:75)(cid:32)(cid:3)(cid:19)(cid:17)(cid:24)(cid:131)(cid:38)(cid:18)(cid:58) (cid:27)(cid:24) (cid:0)(cid:32)(cid:3)(cid:28)(cid:19)(cid:131) (cid:22)(cid:19) (cid:22)(cid:19) (cid:28)(cid:24) (cid:0)(cid:32)(cid:3)(cid:25)(cid:19)(cid:131) (cid:21)(cid:19) (cid:21)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:24) (cid:0)(cid:32)(cid:3)(cid:22)(cid:19)(cid:131) (cid:20)(cid:27)(cid:19)(cid:131) (cid:20)(cid:19) (cid:0) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:20)(cid:24) (cid:44)(cid:55)(cid:11)(cid:53)(cid:48)(cid:54)(cid:12)(cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:0) (cid:55)(cid:68)(cid:80)(cid:69)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) (cid:19) (cid:19) (cid:20)(cid:21)(cid:24) (cid:19) (cid:24) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:24) (cid:21)(cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:22)(cid:19) (cid:22)(cid:24) (cid:23)(cid:19) (cid:19) (cid:21)(cid:19) (cid:23)(cid:19) (cid:25)(cid:19) (cid:27)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:21)(cid:19) (cid:20)(cid:23)(cid:19) Figure 3. On-state rms current versus case Figure 4. Relative variation of thermal temperature impedance versus pulse duration (cid:44)(cid:55)(cid:11)(cid:53)(cid:48)(cid:54)(cid:12)(cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:46)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:62)(cid:61)(cid:87)(cid:75)(cid:11)(cid:77)(cid:16)(cid:70)(cid:12)(cid:18)(cid:53)(cid:87)(cid:75)(cid:11)(cid:77)(cid:16)(cid:70)(cid:12)(cid:64) (cid:24)(cid:19) (cid:20)(cid:17)(cid:19)(cid:19) (cid:23)(cid:19) (cid:0)(cid:32)(cid:3)(cid:20)(cid:27)(cid:19)(cid:131) (cid:61)(cid:87)(cid:75)(cid:11)(cid:77)(cid:16)(cid:70)(cid:12) (cid:19)(cid:17)(cid:20)(cid:19) (cid:22)(cid:19) (cid:21)(cid:19) (cid:61)(cid:87)(cid:75)(cid:11)(cid:77)(cid:16)(cid:68)(cid:12) (cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:20) (cid:20)(cid:19) (cid:55)(cid:70)(cid:68)(cid:86)(cid:72)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) (cid:87)(cid:83)(cid:11)(cid:86)(cid:12) (cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:19) (cid:19) (cid:21)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:21)(cid:24) (cid:20)(cid:40)(cid:16)(cid:22) (cid:20)(cid:40)(cid:16)(cid:21) (cid:20)(cid:40)(cid:16)(cid:20) (cid:20)(cid:40)(cid:14)(cid:19) (cid:20)(cid:40)(cid:14)(cid:20) (cid:20)(cid:40)(cid:14)(cid:21) (cid:20)(cid:40)(cid:14)(cid:22) DocID18270 Rev 2 3/8 8

Characteristics TPDVxx40 Figure 5. R elative variation of gate trigger Figure 6. Non repetitive surge peak on-state current and holding current versus junction current versus number of cycles temperature (cid:44)(cid:42)(cid:55)(cid:15)(cid:44)(cid:43)(cid:15)(cid:44)(cid:47)(cid:62)(cid:55)(cid:77)(cid:64)(cid:3)(cid:18)(cid:3)(cid:44)(cid:42)(cid:55)(cid:15)(cid:44)(cid:43)(cid:15)(cid:44)(cid:47)(cid:62)(cid:55)(cid:77)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:21)(cid:24)(cid:3)(cid:131)(cid:38)(cid:64) (cid:44)(cid:55)(cid:54)(cid:48)(cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:21)(cid:17)(cid:24) (cid:22)(cid:24)(cid:19) (cid:21) (cid:22)(cid:19)(cid:19) (cid:87)(cid:83)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:20)(cid:19)(cid:3)(cid:80)(cid:86) (cid:21)(cid:24)(cid:19) (cid:50)(cid:81)(cid:72)(cid:70)(cid:92)(cid:70)(cid:79)(cid:72) (cid:20)(cid:17)(cid:24) (cid:44)(cid:42)(cid:55) (cid:21)(cid:19)(cid:19) (cid:20) (cid:44)(cid:43)(cid:9)(cid:3)(cid:44)(cid:47) (cid:20)(cid:24)(cid:19) (cid:55)(cid:77)(cid:3)(cid:76)(cid:81)(cid:76)(cid:87)(cid:76)(cid:68)(cid:79)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:21)(cid:24)(cid:3)(cid:131)(cid:38) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:19)(cid:17)(cid:24) (cid:24)(cid:19) (cid:49)(cid:88)(cid:80)(cid:69)(cid:72)(cid:85)(cid:3)(cid:82)(cid:73)(cid:3)(cid:70)(cid:92)(cid:70)(cid:79)(cid:72)(cid:86) (cid:55)(cid:77)(cid:11)(cid:131)(cid:38)(cid:12) (cid:19) (cid:19) (cid:16)(cid:23)(cid:19)(cid:16)(cid:22)(cid:19) (cid:16)(cid:21)(cid:19) (cid:16)(cid:20)(cid:19) (cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:21)(cid:19) (cid:22)(cid:19) (cid:23)(cid:19) (cid:24)(cid:19) (cid:25)(cid:19) (cid:26)(cid:19) (cid:27)(cid:19) (cid:28)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:20)(cid:20)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:19)(cid:20)(cid:22)(cid:19) (cid:20) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) Figure 7. Non-repetitive surge peak on-state Figure 8. On-state characteristics current for a sinusoidal pulse and (maximum values) corresponding values of I2t (cid:44)(cid:55)(cid:54)(cid:48)(cid:11)(cid:36)(cid:12)(cid:15)(cid:3)(cid:44)(cid:240)(cid:87)(cid:11)(cid:36)(cid:240)(cid:86)(cid:12) (cid:44)(cid:55)(cid:48)(cid:11)(cid:36)(cid:12) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19)(cid:19) (cid:55)(cid:77)(cid:76)(cid:81)(cid:76)(cid:87)(cid:76)(cid:68)(cid:79)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:21)(cid:24)(cid:131)(cid:38) (cid:55)(cid:77)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:80)(cid:68)(cid:91) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) (cid:44)(cid:55)(cid:54)(cid:48) (cid:44)(cid:3)(cid:21)(cid:87) (cid:20)(cid:19) (cid:55)(cid:77)(cid:3)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:21)(cid:24)(cid:131)(cid:38)(cid:3) (cid:87)(cid:83)(cid:11)(cid:80)(cid:86)(cid:12) (cid:57)(cid:55)(cid:48)(cid:11)(cid:57)(cid:12) (cid:57)(cid:53)(cid:87)(cid:71)(cid:55)(cid:19)(cid:77)(cid:32)(cid:32)(cid:80)(cid:20)(cid:20)(cid:68)(cid:21)(cid:17)(cid:91)(cid:19)(cid:80)(cid:17)(cid:21)(cid:29)(cid:0)(cid:57) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20) (cid:20)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:21)(cid:3) (cid:3) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:24)(cid:3) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:19)(cid:3) (cid:20) (cid:21) (cid:22) (cid:23) (cid:24) (cid:25) Figure 9. Safe operating area below curve (cid:11)(cid:71)(cid:57)(cid:18)(cid:71)(cid:87)(cid:12)(cid:70)(cid:11)(cid:57)(cid:18)(cid:151)(cid:86)(cid:12) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) (cid:55)(cid:77)(cid:76)(cid:81)(cid:76)(cid:87)(cid:76)(cid:68)(cid:79)(cid:3)(cid:32)(cid:3)(cid:20)(cid:21)(cid:24)(cid:3)(cid:131)(cid:38) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19) (cid:11)(cid:71)(cid:44)(cid:18)(cid:71)(cid:87)(cid:12)(cid:70)(cid:11)(cid:36)(cid:18)(cid:80)(cid:86)(cid:12) (cid:20) (cid:20)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19) (cid:20)(cid:19)(cid:19)(cid:19) 4/8 DocID18270 Rev 2

TPDVxx40 Package information 2 Package information • Epoxy meets UL94, V0 • Cooling method:C (by conduction) • Recommended torque value:0.9 to 1.2 N.m In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of ECOPACK® packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK® specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com. ECOPACK® is an ST trademark. 2.1 TOP3 insulated package information Figure 10. TOP3 insulated package outline (cid:43) (cid:36) (cid:53) (cid:37) (cid:145)(cid:47) (cid:46) (cid:41) (cid:42) (cid:51) (cid:38) (cid:39) (cid:45) (cid:45) (cid:40) DocID18270 Rev 2 5/8 8

Package information TPDVxx40 Table 6. TOP3 insulated package mechanical data Dimensions Ref. Millimeters Inches(1) Typ. Min. Max. Typ. Min. Max. A 4.4 4.6 0.173 0.181 B 1.45 1.55 0.057 0.061 C 14.35 15.60 0.565 0.614 D 0.5 0.7 0.020 0.028 E 2.7 2.9 0.106 0.114 F 15.8 16.5 0.622 0.650 G 20.4 21.1 0.815 0.831 H 15.1 15.5 0.594 0.610 J 5.4 5.65 0.213 0.222 K 3.4 3.65 0.134 0.144 ØL 4.08 4.17 0.161 0.164 P 1.20 1.40 0.047 0.055 R 4.60 0.181 1. Values in inches are converted from mm and rounded to 4 decimal digits. 6/8 DocID18270 Rev 2

TPDVxx40 Ordering information 3 Ordering information Table 7. Ordering information Order code Marking Package Weight Base qty. delivery mode TPDV640RG TPDV640 TOP3 TPDV840RG TPDV840 4.5 g 30 Tube insulated TPDV1240RG TPDV1240 4 Revision history Table 8. Document revision history Date Revision Changes 30-Mar-2011 1 Initial release. Updated Table3. 10-Jun-2015 2 Updated Figure9. Format updated to current standard. DocID18270 Rev 2 7/8 8

TPDVxx40 IMPORTANT NOTICE – PLEASE READ CAREFULLY STMicroelectronics NV and its subsidiaries (“ST”) reserve the right to make changes, corrections, enhancements, modifications, and improvements to ST products and/or to this document at any time without notice. Purchasers should obtain the latest relevant information on ST products before placing orders. ST products are sold pursuant to ST’s terms and conditions of sale in place at the time of order acknowledgement. Purchasers are solely responsible for the choice, selection, and use of ST products and ST assumes no liability for application assistance or the design of Purchasers’ products. No license, express or implied, to any intellectual property right is granted by ST herein. Resale of ST products with provisions different from the information set forth herein shall void any warranty granted by ST for such product. ST and the ST logo are trademarks of ST. All other product or service names are the property of their respective owners. Information in this document supersedes and replaces information previously supplied in any prior versions of this document. © 2015 STMicroelectronics – All rights reserved 8/8 DocID18270 Rev 2

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: S TMicroelectronics: TPDV1240RG TPDV640RG TPDV840RG