Datasheet下载- 型号： NTB90N02T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB90N02T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB90N02T4G价格参考。ON SemiconductorNTB90N02T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB90N02T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB90N02T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB90N02T4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅2.1 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=90A）及优良的开关性能。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM控制； 3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、显卡、基站等设备中用作高效主电源开关或热插拔保护器件； 4. 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101认证（该型号为工业级，非车规；若需车规应用需选用对应车规型号如NVB90N02T4G），但可应用于非安全关键的车载电源模块； 5. LED照明驱动：作为恒流调光开关或大功率LED阵列的驱动开关元件。 其低Rds(on)和优化的栅极电荷（Qg≈70nC）兼顾导通损耗与开关损耗，适合中高频（≤500kHz）、中大电流（数十安培级）的硬开关应用。设计时需注意PCB散热布局（DPAK底部焊盘需充分铺铜）及栅极驱动能力匹配，避免振荡与过压。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR N-CHAN 24V 90A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB90N02T4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2120pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB90N02T4GOSCT |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Ta） |
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