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- 型号： NSTHS4101PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSTHS4101PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSTHS4101PT1G价格参考。ON SemiconductorNSTHS4101PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSTHS4101PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSTHS4101PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌（实为ON Semiconductor，安森美半导体）的NSTHS4101PT1G是一款高性能射频（RF）N沟道增强型MOSFET，采用SOT-363（SC-70）封装，专为低电压、高频率开关与放大应用优化。其典型应用场景包括： 1. 蜂窝通信前端模块：用于2G/3G/4G LTE手机及物联网终端的天线调谐开关、功率放大器（PA）输出级或发射/接收（T/R）切换； 2. 无线基础设施：小型基站（Small Cell）、Wi-Fi 5/6射频前端中的低功耗射频开关与负载调制电路； 3. 便携式射频设备：蓝牙耳机、智能穿戴设备中的天线匹配网络动态调谐与阻抗切换； 4. ISM频段应用：工作在315 MHz、433 MHz、868 MHz、915 MHz等免许可频段的遥控器、传感器节点及RFID读写器中的高速射频开关。 该器件具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.9 Ω @ VGS=4.5 V）、快速开关特性（tON/tOFF < 10 ns）、优异的射频线性度（低IMD3）及良好的ESD防护能力（HBM > 2 kV），适合电池供电、空间受限且对能效与信号保真度要求严苛的射频系统。需注意其最大漏源电压仅20 V，不适用于高功率射频放大场景。
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