Datasheet下载- 型号： NSR0130M2T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSR0130M2T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSR0130M2T5G价格参考。ON SemiconductorNSR0130M2T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSR0130M2T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSR0130M2T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSR0130M2T5G 是安森美（ON Semiconductor）推出的超低压降肖特基势垒整流器，采用SOD-123FL封装，具有30V反向电压、1A平均整流电流、典型正向压降低至0.275V（IF=1A），且反向漏电流极小（IR<10μA @ VR=25V），开关速度快、无反向恢复电荷。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表等对能效和空间敏感的终端中，用于USB接口或电池充电路径中的防反接与同步整流； 2. DC-DC转换器输出整流：在低压大电流Buck转换器（如3.3V/1.8V/1.2V供电轨）中替代传统二极管，显著降低导通损耗，提升转换效率； 3. 负载开关与电源路径控制（Power Path Management）：配合PMIC实现主电源（USB/适配器）与电池间的无缝切换，利用其低VF特性减小压降与发热； 4. 高密度板载电源模块：适用于空间受限的工业传感器、IoT节点及可穿戴设备PCB，SOD-123FL小尺寸封装利于高密度布局； 5. ESD敏感系统保护前端：虽非专用TVS，但其低结电容与快速响应特性，可辅助抑制高频噪声与轻度瞬态干扰。 该器件不适用于高压、高反向耐压或工频整流场景，但凭借超低VF、小体积与高可靠性，在30V以内、1A级高效低压整流领域具有显著优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 0.1A SOD723 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSR0130M2T5G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 525mV @ 100mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 供应商器件封装 | SOD-723 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOD-723 |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 125°C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 100mA（DC） |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
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