Datasheet下载- 型号： NSM11156DW6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSM11156DW6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSM11156DW6T1G价格参考。ON SemiconductorNSM11156DW6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSM11156DW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSM11156DW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSM11156DW6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-363（SC-70-6）封装，内含两个独立的NPN型晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。 其主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载，简化电路设计并提升响应速度； ✅ 信号开关与多路控制：双通道结构适合需同步或独立控制的双路低电流开关应用，如状态指示灯切换、传感器信号选通； ✅ 电池供电便携设备：低饱和压降（VCE(sat)典型值仅0.15V @ IC=10mA）与低功耗特性，延长设备续航； ✅ 工业I/O模块与家电控制板：高可靠性（AEC-Q101兼容）、宽工作温度范围（–55°C 至 +150°C）及ESD防护（HBM > 4kV），适用于PLC输入/输出缓冲、电机启停控制、电源使能电路等。 该器件特别适用于空间受限、BOM精简及需快速设计验证的中低频（fT≈200MHz）、中小电流（IC≤100mA）场景，广泛见于消费电子、汽车电子（车身控制模块）、智能电表及IoT终端设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSM11156DW6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA / 650mV @ 5mA， 100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V / 220 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 PNP 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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