Datasheet下载- 型号： NSBC143TDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143TDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143TDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC143TDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC143TDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143TDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC143TDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-563（SC-88）封装，内含两个独立的NPN型预偏置晶体管（带内置基极-发射极和基极-集电极电阻），典型配置为R1 = R2 = 47 kΩ。 其主要应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与接口驱动：如将3.3 V/5 V MCU GPIO信号安全、可靠地驱动至更高电压负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），无需外接偏置电阻，简化PCB设计。 ✅ LED恒流/开关控制：常用于消费电子（如电视背光、键盘指示灯）、工业HMI面板等中小电流（IC ≤ 100 mA）LED驱动电路，利用其预偏置特性实现快速开关与稳定导通。 ✅ 信号缓冲与反相器阵列：双通道结构适合构建紧凑型双路反相或非门逻辑功能，适用于空间受限的便携设备（如TWS耳机充电仓、智能穿戴设备）。 ✅ 低功耗传感器接口：在电池供电系统中驱动霍尔传感器、光电开关等有源器件的输出级，具备低输入驱动电流（IB ≈ 0.1 mA @ VIN=3.3 V）优势，延长续航。 该器件具备±500 mV输入阈值容差、高直流电流增益（hFE ≥ 80）、良好温度稳定性及ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适用于工业控制、汽车电子（非安全关键模块，如车窗控制器、氛围灯）、家电（空调显示板、洗衣机状态指示）等领域。注意：不适用于高频放大或大功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143TDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143TDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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