Datasheet下载- 型号： NSBC114TDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC114TDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114TDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114TDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置偏置电阻（预偏置），采用SOT-563封装（6引脚），内含两个NPN晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻（典型R1 = R2 = 10 kΩ），简化外围电路设计。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑电平转换与驱动：如将MCU的3.3 V/5 V GPIO信号直接驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极； ✅ 多路开关控制：在空间受限的便携设备（如智能穿戴、IoT传感器节点）中，替代分立三极管+电阻方案，节省PCB面积； ✅ 工业I/O接口：用于PLC模块、HMI面板的输入信号调理或输出端口缓冲，提供可靠电平切换与电流放大（IC max = 100 mA，hFE ≈ 160–470）； ✅ LED矩阵/段码驱动：双通道结构便于驱动共阴极LED的行/列扫描，内置偏置确保稳定导通； ✅ 电池供电设备：低待机电流（IB ≈ 0.3 mA @ VCC=5 V）、高噪声容限，提升系统能效与抗干扰能力。 该器件支持无外部偏置电阻工作，显著降低BOM成本与设计复杂度，适用于对尺寸、可靠性及量产一致性要求较高的消费电子、工业控制与汽车电子（非安全关键子系统）领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114TDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114TDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NSBC114TDXV6T1 相关产品
-40DS-0.5V(57).jpg)
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商