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产品简介:
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NSBC114EPDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(含R1=10kΩ、R2=10kΩ),采用SOT-563(6引脚小型封装),含两个独立的NPN型预偏置晶体管(Dual NPN, ESD保护,带基极-发射极并联电阻)。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流逻辑信号(如3.3V/5V TTL/CMOS)转换为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或光耦输入的开关信号。 2. LED驱动电路:常用于多路LED指示灯控制,预置电阻简化外围设计,提高可靠性与PCB空间利用率,广泛见于消费电子、工业面板、电源适配器状态指示等。 3. 负载开关与信号切换:作为低成本、高集成度的双路开关,用于控制小型负载(如蜂鸣器、传感器使能端、通信模块复位信号等),避免外置偏置电阻,降低BOM成本与设计复杂度。 4. 汽车电子与工业控制辅助电路:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级版本),可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)中的非关键信号调理、状态反馈或冗余检测电路。 其ESD防护(>4kV HBM)、宽工作温度范围(−55°C 至 +150°C)及高可靠性,使其特别适合对尺寸、鲁棒性和量产一致性要求较高的嵌入式与汽车电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114EPDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114EPDXV6OSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |