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  • 型号: NSBC114EPDXV6T1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDXV6T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDXV6T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC114EPDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC114EPDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBC114EPDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,内置预偏置电阻(含R1=10kΩ、R2=10kΩ),采用SOT-563(6引脚小型封装),含两个独立的NPN型预偏置晶体管(Dual NPN, ESD保护,带基极-发射极并联电阻)。其典型应用场景包括:

1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流逻辑信号(如3.3V/5V TTL/CMOS)转换为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或光耦输入的开关信号。

2. LED驱动电路:常用于多路LED指示灯控制,预置电阻简化外围设计,提高可靠性与PCB空间利用率,广泛见于消费电子、工业面板、电源适配器状态指示等。

3. 负载开关与信号切换:作为低成本、高集成度的双路开关,用于控制小型负载(如蜂鸣器、传感器使能端、通信模块复位信号等),避免外置偏置电阻,降低BOM成本与设计复杂度。

4. 汽车电子与工业控制辅助电路:符合AEC-Q101标准(该型号为车规级版本),可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块(BCM)中的非关键信号调理、状态反馈或冗余检测电路。

其ESD防护(>4kV HBM)、宽工作温度范围(−55°C 至 +150°C)及高可靠性,使其特别适合对尺寸、鲁棒性和量产一致性要求较高的嵌入式与汽车电子应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSBC114EPDXV6T1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 300µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

35 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NSBC114EPDXV6OSCT

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)

标准包装

10

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

-

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