Datasheet下载- 型号： NSBA124EDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA124EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA124EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA124EDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA124EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA124EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA124EDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1/R2），采用SOT-563（SC-88）封装，含两个NPN通用开关晶体管，具有共发射极配置、独立基极偏置网络。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC与外部负载（如LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的信号缓冲和电平适配，简化外围偏置电路设计。 2. LED/指示灯驱动阵列：双通道结构适合驱动两路LED，内置电阻避免外接基极限流电阻，节省PCB面积并提升可靠性，常见于消费电子、工业面板显示。 3. 小型继电器或蜂鸣器驱动：单个通道可驱动≤100mA负载（ICmax=100mA），适用于低功耗有源蜂鸣器、信号继电器线圈等开关控制。 4. 传感器信号调理前端：在光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器的输出级，用作反相/同相缓冲或电流增强，提升驱动能力和抗干扰性。 5. 空间受限的便携设备：超小型SOT-563封装（1.6×1.6×0.55 mm）适合TWS耳机、可穿戴设备、IoT模组等对尺寸和功耗敏感的应用。 该器件不适用于高频放大或大功率开关场景（fT≈250MHz，Pd≤300mW），主要定位为高集成度、低成本、易用型数字开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA124EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA124EDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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