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- 型号： NP80N04NLG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N04NLG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N04NLG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N04NLG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N04NLG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N04NLG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N04NLG-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，典型参数为：耐压40V、连续漏极电流80A（Tc=25℃）、导通电阻Rds(on)低至≤3.0mΩ（Vgs=10V），采用TO-263（D²PAK）封装，具备高效率、低热阻和强过流能力。 其主要应用场景包括： ✅ 电动工具驱动：如电钻、角磨机等BLDC或有刷电机的H桥/半桥功率开关，满足高瞬态电流与频繁启停需求； ✅ 大电流DC-DC转换器：在车载充电机（OBC）、服务器电源、通信电源中用作同步整流管或主开关管，提升转换效率； ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用于智能电池包的充放电主回路控制及过流/短路保护开关； ✅ 工业电机控制与UPS系统：适配中小功率变频驱动模块，支持高频PWM调制（推荐工作频率≤100kHz）； ✅ LED车灯/大功率照明驱动：作为恒流调光或电源主开关，兼顾散热性与可靠性。 该器件内置ESD保护与雪崩耐量（EAS≥500mJ），适用于严苛工况；但需注意PCB布局优化散热（建议大面积铜箔+过孔散热）及栅极驱动设计（推荐12–15V驱动电压，避免米勒平台误导通）。不适用于高压（＞60V）或超低导通损耗（＜2mΩ）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP80N04NLG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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