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- 型号： NP80N04MHE-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N04MHE-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N04MHE-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N04MHE-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N04MHE-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N04MHE-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N04MHE-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，典型参数为：VDS = 40V，ID（连续）= 80A，RDS(on) ≈ 3.8mΩ（VGS = 10V），具备低导通电阻、高电流承载能力及良好的热稳定性。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于车载充电机（OBC）、服务器/通信电源的同步整流与主开关管，提升转换效率； ✅ 电机驱动：适用于中小功率无刷直流电机（BLDC）控制器、电动工具、电风扇、水泵等，支持高频PWM驱动与快速开关； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护回路中的主控开关或均衡开关，满足大电流通断与低损耗需求； ✅ 工业控制与UPS：在逆变模块、负载切换电路中承担功率开关功能，配合驱动IC实现可靠通断； ✅ LED照明驱动：用于高功率LED恒流驱动电路的调光/开关控制环节。 该器件内置ESD保护与雪崩耐量设计（UIS Rated），具备一定抗瞬态过压能力，适配主流栅极驱动电压（4.5V–10V），支持逻辑电平兼容驱动（如MCU直接驱动）。需注意合理设计PCB散热焊盘及驱动电阻，以保障高温工况下的长期可靠性。 （注：“品牌为-”应指国产厂商华润微电子，型号前缀“NP”为其标准命名体系。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP80N04MHE-S18-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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