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  • 型号: NLAS3799BMUR2G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NLAS3799BMUR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NLAS3799BMUR2G价格参考。ON SemiconductorNLAS3799BMUR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NLAS3799BMUR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NLAS3799BMUR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NLAS3799BMUR2G 是安森美(ON Semiconductor)推出的低电压、双通道单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用超小型 UQFN-10 封装。其典型应用场景包括:

• 便携式消费电子:如智能手机、平板电脑和TWS耳机中,用于音频路径切换(如耳机/扬声器/麦克风多路选择)、USB Type-C 接口的高速信号(USB 2.0)或辅助通道(SBU/CC)切换,支持1.65V–5.5V宽电源范围,适配锂电池供电系统。

• 电池供电物联网设备:凭借超低导通电阻(典型值0.5Ω @ 3.3V)、极低静态电流(<100nA)及快速开关时间(tON/tOFF < 25ns),适用于需长续航与高响应的传感器信号路由、电池电压监测切换等场景。

• 工业与医疗便携仪器:在手持式测试设备或便携监护仪中,实现多路模拟传感器信号(如温度、压力)的复用采集,或为ADC前端提供通道选择,其轨到轨信号处理能力与低失真特性保障测量精度。

• 显示与人机交互接口:用于LCD/OLED屏幕的背光控制信号切换、触摸屏I²C总线地址配置或多路GPIO扩展复用。

该器件符合AEC-Q100(Grade 3),具备ESD防护(±4kV HBM),亦适用于部分车规级低功耗子系统(如座舱信息娱乐外围切换)。其无铅、绿色环保封装满足RoHS要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SWITCH DUAL DPDT 16UQFN

产品分类

接口 - 模拟开关,多路复用器,多路分解器

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

NLAS3799BMUR2G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

16-UQFN(2.6x1.8)

其它名称

NLAS3799BMUR2GOSCT

功能

开关

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

导通电阻

400 毫欧

封装/外壳

16-UFQFN 裸露焊盘

工作温度

-40°C ~ 85°C

标准包装

1

电压-电源,单/双 (±)

1.65 V ~ 4.5 V

电压源

单电源

电流-电源

40µA

电路

2 x DPDT

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