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- 型号： NJVMJD44H11T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD44H11T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD44H11T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD44H11T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVMJD44H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD44H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NJVMJD44H11T4G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于高增益、中等功率的达林顿晶体管。其主要应用场景包括需要较高电流放大倍数和开关能力的电路。 该器件常用于电源管理与控制领域，例如在继电器驱动、电机控制、LED照明驱动及电源开关电路中作为高效开关元件。由于其具备较高的直流电流增益（hFE）和较低的饱和电压，能够有效提升系统效率并减少功耗，适合对能效要求较高的应用。 此外，NJVMJD44H11T4G广泛应用于汽车电子系统，如车身控制模块、车灯控制、风扇电机驱动等。其符合AEC-Q101车规认证，具备良好的可靠性和温度耐受性（工作温度可达150°C），适用于严苛的车载环境。 在工业控制领域，该晶体管可用于传感器信号放大、固态继电器、可编程逻辑控制器（PLC）输出驱动等场合。其SOT-223封装具有良好的散热性能，适合中等功率应用。 综上，NJVMJD44H11T4G凭借高增益、高可靠性及车规级特性，广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和消费类电子中的开关与驱动电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP NPN 8A 80V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVMJD44H11T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率-跃迁 | 85MHz |
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