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  • 型号: TK20J60U(F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK20J60U(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK20J60U(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK20J60U(F)封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 20A(Ta) 190W(Tc) TO-3P(N)。您可以下载TK20J60U(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK20J60U(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PNMOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 20A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=TK20J60U&lang=en&type=datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK20J60U(F)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK20J60U点击此处下载产品Datasheet

产品型号

TK20J60U(F)

Pd-功率耗散

190 W

RdsOn-漏源导通电阻

190 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

40 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1470pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

190 毫欧 @ 10A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3P(N)

其它名称

TK20J60U(F)-ND
TK20J60UF

功率-最大值

190W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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