Datasheet下载- 型号： NJVMJD31T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD31T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD31T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD31T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVMJD31T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD31T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NJVMJD31T4G的晶体管属于安森美半导体（ON Semiconductor）的双极型晶体管（BJT），常用于需要高可靠性和稳定性的电路设计中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压器等，作为开关元件，控制电流的导通与截止，提高电源效率。 2. 电机驱动电路：在小型电机或继电器驱动中作为功率开关使用，适用于汽车电子、工业控制设备中。 3. 信号放大：在低频信号放大电路中使用，如音频前置放大器、传感器信号调理电路等。 4. 汽车电子系统：因其具备良好的温度特性和可靠性，广泛应用于汽车中的照明控制、电动窗、风扇控制等模块。 5. 工业自动化控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）或执行器驱动电路中，实现对外部负载的高效控制。 6. 消费类电子产品：如智能家电、充电器、适配器等产品中的开关控制和功率调节部分。 该晶体管采用TO-252封装，具备较好的散热性能和较高的电流承载能力，适合中等功率应用。其设计兼顾了高效能与高稳定性，适用于多种中低压功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 3A 40V DPAK两极晶体管 - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJVMJD31T4G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVMJD31T4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.2V @ 375mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 10 @ 3A，4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | * |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 50 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | MJD31 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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