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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8202NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8202NT4G价格参考。ON SemiconductorNGB8202NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NGB8202NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGB8202NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8202NT4G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用TO-247-3L封装,额定电压600V、电流20A(连续),具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=20A)和快速开关特性,内置反并联快恢复二极管。 其典型应用场景包括: - 工业变频驱动:用于中小功率(约3–5 kW)通用变频器的逆变桥臂,驱动三相异步电机,兼顾效率与温升控制; - 感应加热设备:在电磁炉、家用电磁灶及小型工业加热电源中,作为高频(20–50 kHz)功率开关,利用其良好开关一致性与抗短路能力; - 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:适用于单相或小三相离网/并网逆变单元,实现DC-AC能量转换; - 电焊机(IGBT逆变式):作为主功率开关,支持PWM调制以精确控制焊接电流波形; - 电动工具与轻型电动车控制器:用于12–48V系统中的BLDC或有刷电机驱动,配合外部续流二极管可提升可靠性。 该器件设计注重鲁棒性(如10μs短路耐受能力)与热稳定性,适用于需中等功率密度、高可靠性和成本敏感的工业与消费类电源应用。实际使用中建议搭配优化驱动电路(如负压关断)及合理散热设计,以发挥最佳性能。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 20A 150W D2PAKIGBT 晶体管 20A 400V Ignition N-Channel |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGB8202NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGB8202NT4G |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V,9A,1 千欧,5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NGB8202NT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 15 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 350 uA |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 440V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 440 V |