Datasheet下载- 型号： NE3210S01
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3210S01由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3210S01价格参考。CELNE3210S01封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3210S01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3210S01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL的NE3210S01是一款增强型pHEMT射频MOSFET，属于晶体管中的射频场效应管（FET），广泛应用于高频、低噪声放大场景。该器件采用先进的砷化镓（GaAs）工艺制造，具有低噪声系数、高增益和优良的高频性能，适合在微波和毫米波频段工作。 NE3210S01主要适用于无线通信系统中的关键射频前端电路，常见应用场景包括：卫星通信、微波中继系统、点对点与点对多点无线传输、5G移动通信基础设施、雷达系统以及高性能无线局域网（如Wi-Fi 6E等）。其优异的线性度和稳定性也使其适用于宽带低噪声放大器（LNA）和混频器电路设计。 由于该器件支持高频率（可达数十GHz）工作，常用于X波段、Ku波段甚至Ka波段的射频模块中，特别适合对信号灵敏度要求较高的接收链路。此外，NE3210S01的小封装形式有利于高密度PCB布局，适用于空间受限的便携式或紧凑型射频设备。 综上，NE3210S01凭借其高性能和可靠性，是现代高频通信系统中理想的低噪声放大解决方案，尤其适用于需要高稳定性和低功耗的高端射频应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NE3210S01 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商