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  • 型号: NDS8947
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDS8947由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS8947价格参考。Fairchild SemiconductorNDS8947封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDS8947参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS8947 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NDS8947 是安森美(ON Semiconductor)推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列,采用SOT-23-6封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 35 mΩ @ VGS = 4.5V)、快速开关特性及高集成度。其典型应用场景包括:

1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池充放电路径控制或背光LED驱动,双MOSFET结构可简化电路,节省PCB空间。

2. DC-DC转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中用作同步整流管,提升转换效率(尤其在低压大电流场景),降低发热。

3. H桥电机驱动(小功率):配合外部控制逻辑,可构建微型直流电机或振动马达的双向驱动电路(需注意其为双N沟道,需电平移位或外置驱动)。

4. USB端口保护与热插拔控制:用于过流/短路保护电路,利用其快速关断能力防止后级损坏。

5. 逻辑电平转换与信号切换:在低电压(如1.8V–3.3V)系统中实现GPIO扩展或信号选通。

该器件不适用于高压(额定VDS = 30V)、大电流(连续ID = 4.2A,脉冲6A)或高功率散热场景,设计时需注意SOA(安全工作区)及PCB散热。总体适用于对尺寸、效率和成本敏感的中低功率嵌入式电源与接口应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

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PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

690pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

65 毫欧 @ 4A,10V

产品目录页面

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供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NDS8947DKR

功率-最大值

900mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4A

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