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- 型号： NDD60N360U1-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDD60N360U1-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD60N360U1-35G价格参考。ON SemiconductorNDD60N360U1-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDD60N360U1-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDD60N360U1-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDD60N360U1-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压、高电流N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装。其典型参数包括：VDSS = 600 V，ID（连续）= 36 A，RDS(on) ≈ 35 mΩ（典型值，VGS = 10 V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐受能力。 该器件主要应用于中高功率、高频开关场景，尤其适合对效率、热性能和可靠性要求较高的工业与电源系统。典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如服务器/通信电源、工业AC-DC模块中的主开关管或PFC（功率因数校正）升压开关； - 电机驱动：用于变频器、BLDC电机控制器及工业泵/风机的逆变桥臂下管； - 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：在DC-AC转换级承担高频硬开关或软开关任务； - 感应加热与电磁炉：作为谐振变换器（如LLC、半桥）中的主功率开关； - 高压直流配电系统：如电池管理系统（BMS）中的高压侧保护开关或隔离开关。 其低导通电阻与优化的体二极管特性有助于降低导通损耗与换流损耗，配合TO-247封装提供良好散热能力，适用于自然冷却或风冷设计。需注意合理设计栅极驱动（推荐12–15 V驱动电压）、PCB布局及散热器，以发挥最佳性能并确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 114A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NDD60N360U1-35G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
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