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  • 型号: NAND02GW3B2DZA6E
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NAND02GW3B2DZA6E由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NAND02GW3B2DZA6E价格参考。Micron Technology IncNAND02GW3B2DZA6E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NAND02GW3B2DZA6E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NAND02GW3B2DZA6E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

品牌为美光科技(Micron Technology Inc.)的、分类为存储器、型号为NAND02GW3B2DZA6E的器件,属于NAND闪存芯片。该芯片具有较高的存储密度和较快的读写速度,适用于对存储性能和可靠性有较高要求的应用场景。

其主要应用场景包括:

1. 固态硬盘(SSD):用于个人电脑、服务器和数据中心的高速存储设备,提升系统启动和数据访问速度。

2. 嵌入式系统:如工业控制设备、自动化设备和车载系统,要求在复杂环境下稳定运行。

3. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。

4. 网络与通信设备:如路由器、交换机和基站设备,用于存储配置文件和运行日志。

5. 物联网(IoT)设备:如智能家电、监控摄像头和边缘计算设备,支持数据本地存储与传输。

该NAND闪存具有高可靠性、耐用性强的特点,适合需要频繁读写和长期运行的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC FLASH 2GBIT 63VFBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

产品图片

产品型号

NAND02GW3B2DZA6E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

63-VFBGA(9.5x12)

包装

托盘

存储器类型

闪存 - NAND

存储容量

2G(256M x 8)

封装/外壳

63-TFBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

1,260

格式-存储器

闪存

电压-电源

2.7 V ~ 3.6 V

速度

-

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