Datasheet下载- 型号： MUN2212T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2212T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2212T1价格参考。ON SemiconductorMUN2212T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2212T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2212T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2212T1（ON Semiconductor）是一款NPN型数字晶体管（即内置偏置电阻的预偏置BJT），集成了R1=22kΩ（基极-发射极上拉电阻）和R2=22kΩ（基极-发射极下拉电阻），具有1:1的R1/R2比值，适合逻辑电平直接驱动。 典型应用场景包括： ✅ 微控制器I/O口驱动：可直接由3.3V或5V逻辑电平（如STM32、Arduino GPIO）控制，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； ✅ LED开关与指示电路：驱动单颗或多颗串联LED（电流≤100mA），提供稳定开关特性及快速响应； ✅ 继电器/小型电磁阀驱动：作为中间驱动级，隔离MCU与感性负载，配合续流二极管实现可靠通断； ✅ 电平转换与信号缓冲：在不同电压域间（如5V→3.3V系统接口）实现简单反相或非反相缓冲； ✅ 电池供电设备低功耗开关：内置偏置电阻优化了静态电流（IB ≈ 0.1–0.2mA @ VIN=5V），兼顾响应速度与功耗。 其SOT-23封装尺寸小、成本低、可靠性高，广泛用于消费电子（如遥控器、充电器状态指示）、工业控制板、IoT终端及汽车电子（如车身控制模块中的非安全相关负载开关）等对空间和BOM精简要求较高的场合。注意：不适用于线性放大或高频开关（fT约250MHz，但数字开关应用中通常工作在DC–10MHz内）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2212T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2212T1OSCT |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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