【未分类_MUN2131T1G】封装/厂家_MUN2131T1G中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MUN2131T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2131T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2131T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2131T1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MUN2131T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2131T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN2131T1G（ON Semiconductor）是一款带内置偏置电阻的NPN型数字晶体管（预偏置BJT），集成了基极-发射极间电阻（R1=10kΩ）和基极-集电极间反馈电阻（R2=10kΩ），具备“1合2”简化电路设计优势。其典型应用场景包括：  
1. 逻辑电平转换与驱动：将微控制器（如STM32、Arduino）的3.3V/5V GPIO信号直接驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，无需外接偏置电阻；  
2. 开关控制电路：用于电源管理中的负载开关、风扇调速、传感器使能控制等低功耗通断场景（IC max=100mA，VCEO=50V）；  
3. 接口保护与信号调理：在工业I/O模块中作输入缓冲，抑制噪声并提供电流放大，增强抗干扰能力；  
4. 消费电子待机控制：如TV遥控接收电路、智能插座的MCU唤醒信号处理，利用其低输入电流（IB(on)≈0.3mA @ VIN=5V）降低系统待机功耗；  
5. 空间受限设计：SOT-23小封装（2.9×1.3×1.0mm）适用于可穿戴设备、TWS耳机等高密度PCB布局。  

该器件省去2个外部电阻，提升可靠性、减小贴片成本，并具备±5%增益容差和ESD防护（HBM >8kV），适合对BOM精简、量产一致性及EMC有要求的中低速开关应用（fT≈250MHz，但推荐用于<1MHz开关）。不适用于线性放大或高频射频场景。

产品参数图文手册常见问题