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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MTP20N15EG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTP20N15EG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP20N15EG价格参考。ON SemiconductorMTP20N15EG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTP20N15EG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP20N15EG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTP20N15EG 是 ON Semiconductor（安森美）出品的一款 N 沟道增强型垂直双扩散 MOSFET（VDMOS），额定参数为：耐压 150V、连续漏极电流 20A（Tc=25°C）、Rds(on) 典型值 0.085Ω（Vgs=10V）。其封装为 TO-220AB，具备良好的热性能与开关特性。 该器件主要适用于中功率、中频开关应用，典型应用场景包括： ✅ 直流电机驱动：如工业风扇、电动工具、自动门控系统中的H桥或单向驱动电路； ✅ 开关电源（SMPS）：作为主开关管用于反激式（Flyback）、正激式（Forward）或LLC谐振变换器的次级侧同步整流或初级侧开关（需配合驱动与散热设计）； ✅ DC-DC 转换器：在车载电子、通信电源模块中实现升压（Boost）或降压（Buck）功能； ✅ 逆变器与UPS系统：用于中小功率离网/后备式逆变器的输出级功率开关； ✅ LED 驱动电源：恒流驱动电路中作为 PWM 开关元件，支持调光控制； ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路：用于充放电回路的过流/短路保护开关（需搭配检测与控制逻辑）。 注意：实际应用中需确保栅极驱动电压稳定（推荐10V以上以充分导通）、配备足够散热（如加装散热片）、并采取适当的SOA（安全工作区）保护措施（如RC缓冲、过温/过流检测），避免雪崩击穿或热失效。不建议用于线性区长时间工作（如模拟放大），因其功耗高、效率低。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 20A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MTP20N15EG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1627pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 112W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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