【未分类_MTP10N40E】封装/厂家_MTP10N40E中文资料_价格

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型号： MTP10N40E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTP10N40E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTP10N40E价格参考。ON SemiconductorMTP10N40E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MTP10N40E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTP10N40E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTP10N40E 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，额定参数为：VDSS = 400V，ID（连续）= 10A，RDS(on) ≈ 0.45Ω（典型值），采用TO-220封装。其高耐压、中等电流及良好开关特性的组合，使其适用于多种中功率开关应用。

典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关；  
- 电机控制：小型直流无刷电机（BLDC）驱动、风扇/泵类家电的H桥或单管驱动电路；  
- 照明电子镇流器与智能LED驱动：支持调光功能的恒流驱动电路；  
- 工业控制：继电器替代、PLC输出模块、电磁阀/加热器等负载的固态开关；  
- 逆变器与UPS系统：中小功率DC-AC逆变环节的功率开关器件（需配合驱动与保护设计）。

该器件具备雪崩能量额定值（EAS = 170mJ），具备一定抗瞬态过压能力；内置体二极管可用于续流，但高频应用中建议外加快恢复二极管以优化效率。使用时需注意散热设计（TO-220需配合适当散热器），并确保栅极驱动电压（10V推荐）与布局布线满足开关速度与EMI要求。  

综上，MTP10N40E是一款兼顾可靠性与成本的通用型高压MOSFET，广泛应用于消费电子、工业电源及基础电力电子设备中。

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