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  • 型号: MT9VDDT6472PHY-335F2
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT9VDDT6472PHY-335F2由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT9VDDT6472PHY-335F2价格参考。Micron Technology IncMT9VDDT6472PHY-335F2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT9VDDT6472PHY-335F2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT9VDDT6472PHY-335F2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT9VDDT6472PHY-335F2 是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR3 SDRAM内存模块,属于存储器-模块类别。该模块为小型BGA封装的嵌入式内存解决方案,常用于对空间、功耗和性能有较高要求的嵌入式系统和工业级应用。

其主要应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、工业自动化控制系统、医疗成像设备、车载电子系统以及高端消费类电子产品。由于具备较高的稳定性和可靠性,该型号适用于需要长时间连续运行且环境条件较严苛的工业场景。此外,它也常见于需要紧凑设计的便携式设备中,支持高效数据处理与快速响应。

该模块工作频率高,带宽适中,适合中等计算负载的应用,同时兼顾低功耗特性,有助于延长设备续航并降低散热需求。总体而言,MT9VDDT6472PHY-335F2 主要面向专业级嵌入式市场,满足对小型化、高性能和高可靠性兼具的存储需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

存储卡,模块

描述

MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM

产品分类

存储器 - 模块

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MT9VDDT6472PHY-335F2

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

存储器类型

DDR SDRAM

存储容量

512MB

封装/外壳

200-SODIMM

标准包装

100

速度

333MT/s

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