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  • 型号: MT8VDDT6464HDY-40BJ1
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT8VDDT6464HDY-40BJ1由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT8VDDT6464HDY-40BJ1价格参考。Micron Technology IncMT8VDDT6464HDY-40BJ1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT8VDDT6464HDY-40BJ1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT8VDDT6464HDY-40BJ1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为MT8VDDT6464HDY-40BJ1的存储器模块由美光科技(Micron Technology Inc.)生产,属于高性能DRAM模块,主要面向工业级和嵌入式应用场景。该模块具备较高的稳定性和可靠性,适用于对数据处理速度和系统稳定性要求较高的设备和系统。

其主要应用场景包括:

1. 工业自动化设备:如PLC控制器、工业计算机和自动化控制系统,用于提升数据处理能力和系统运行效率。

2. 通信设备:应用于路由器、交换机及基站设备中,支持高速数据传输与处理,保障通信系统的稳定运行。

3. 嵌入式系统:如医疗设备、智能交通系统和安防监控设备,满足对高性能存储和长时间运行的严苛要求。

4. 汽车电子:包括车载信息娱乐系统(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS),支持复杂数据处理与实时响应。

5. 边缘计算设备:用于边缘服务器和智能终端,提升本地数据处理能力,降低对云端的依赖。

综上,MT8VDDT6464HDY-40BJ1适用于对性能、稳定性和耐用性有较高要求的工业与嵌入式领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

存储卡,模块

描述

MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM

产品分类

存储器 - 模块

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MT8VDDT6464HDY-40BJ1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

存储器类型

DDR SDRAM

存储容量

512MB

封装/外壳

200-SODIMM

标准包装

100

速度

400MT/s

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