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- 型号： MT58L256L18F1T-8.5TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT58L256L18F1T-8.5TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT58L256L18F1T-8.5TR价格参考。Micron Technology IncMT58L256L18F1T-8.5TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT58L256L18F1T-8.5TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT58L256L18F1T-8.5TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该器件型号“MT58L256L18F1T-8.5TR”实为Micron（美光）出品的低功耗DDR2 SDRAM存储器，但需指出：型号命名存在混淆——标准美光DDR2型号通常以“MT47H”或“MT46H”开头，而“MT58L”系列并不存在；更可能为笔误或混淆（如将“MT47L”误写为“MT58L”，或与Micron早期Mobile DDR（LPDDR）型号混淆）。结合后缀“L18F1T-8.5TR”（含L=Low Power、18=18-bit数据总线、F1T=FBGA封装、8.5=8.5ns CL/tCK），其实际应为一款128Mb（16M×8）或256Mb（32M×8）规格的低功耗SDRAM，常用于对功耗与尺寸敏感的嵌入式系统。 典型应用场景包括：工业控制HMI人机界面、医疗便携设备（如手持超声仪、血糖仪）、车载信息娱乐系统（IVI）的图形缓存、网络摄像头（IPC）的视频帧缓冲、以及中低端物联网网关的运行内存。其8.5ns时钟周期（约118MHz）和低电压（1.8V）特性，适配电池供电或散热受限环境，但不适用于高性能计算或主流PC。需注意：该型号非NAND闪存或eMMC，不可用于长期数据存储，仅作临时数据读写缓存之用。建议以官方Micron产品目录及Datasheet为准确认型号真伪与参数。
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