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  • 型号: MT57V1MH18EF-6
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT57V1MH18EF-6由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT57V1MH18EF-6价格参考。Micron Technology IncMT57V1MH18EF-6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT57V1MH18EF-6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT57V1MH18EF-6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT57V1MH18EF-6 是 Micron(美光)公司出品的一款DDR2 SDRAM存储器,具体为1Mb×18位(即2M×18bit,总容量36Mb)、2.5V供电、6ns存取时间(对应DDR2-800速率)的FBGA封装芯片。该器件属于工业级/宽温范围(–40°C 至 +95°C),具备较强的环境适应性。

其典型应用场景包括:  
1. 网络通信设备:如中低端交换机、路由器、光模块控制单元等,用于缓存数据包、运行轻量协议栈;  
2. 工业控制与自动化系统:PLC、HMI人机界面、运动控制器等对温度稳定性及长期供货有要求的嵌入式平台;  
3. 数字视频设备:早期高清安防DVR/NVR、视频编码板卡中作为帧缓冲或系统内存;  
4. 医疗电子与测试仪器:便携式监护仪、信号采集卡等对可靠性敏感、无需大容量但需确定性时序的场景;  
5. 汽车电子(非动力域):车载信息娱乐系统(IVI)或车身控制模块中的辅助内存(需符合AEC-Q200可选认证,具体以批次为准)。

需注意:该型号已停产多年,属成熟/淘汰产品,当前主要用于存量设备维护、备件替换或成本敏感型传统设计。新项目建议选用DDR3/DDR4或LPDDR系列替代。
产品参数 图文手册 常见问题
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