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产品简介:
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Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT46V64M8P-6T:F 是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要应用于需要高性能和高可靠性的电子设备中。该型号属于移动式低功耗DDR SDRAM(LPDDR),其容量为512Mb(64M x 8),工作频率为166MHz(-6T时序),适用于对功耗敏感的便携式设备。 典型应用场景包括: 1. 智能手机和平板电脑:作为主内存用于运行操作系统和应用程序,提升设备处理速度与多任务性能。 2. 嵌入式系统:如工业控制设备、医疗仪器等,要求稳定性和耐用性高的场合。 3. 网络通信设备:如路由器、交换机等,用于缓存数据和提升传输效率。 4. 消费类电子产品:例如数码相机、智能穿戴设备等,满足其对体积小、功耗低和性能高的需求。 5. 汽车电子系统:如车载信息娱乐系统(IVI)和驾驶辅助系统(ADAS),对数据处理实时性要求较高。 该存储器采用小型封装,支持低电压操作(通常为1.8V或更低),有助于延长电池寿命并减少热量产生,适合移动及嵌入式应用需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 66TSOP |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT46V64M8P-6T:F |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 66-TSOP |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 512M(64M x 8) |
封装/外壳 | 66-TSSOP(0.400",10.16mm 宽) |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 1,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 2.3 V ~ 2.7 V |
速度 | 6ns |