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  • 型号: MT41K128M16JT-125:KTR
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K128M16JT-125:KTR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K128M16JT-125:KTR价格参考。Micron Technology IncMT41K128M16JT-125:KTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41K128M16JT-125:KTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41K128M16JT-125:KTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT41K128M16JT-125:KTR 是 Microchip Technology(注:实际该器件原属Micron美光,Microchip 并未生产 DDR3L SDRAM;此处存在品牌归属误标,应为 Micron 原厂、现由 Microchip 通过收购部分业务或分销渠道提供,但主流资料仍归于 Micron)推出的 2Gb(128M×16)DDR3L 同步动态随机存取存储器(Low Voltage DDR3),工作电压 1.35V,时钟频率达 800 MHz(1600 MT/s),带温度传感器与工业级可靠性(–40°C 至 +95°C TC)。

典型应用场景包括:  
- 工业自动化设备:PLC、HMI、运动控制器等需宽温、高可靠内存的嵌入式系统;  
- 网络通信设备:中低端交换机、路由器、网关的报文缓存与控制平面内存;  
- 医疗电子设备:便携式监护仪、影像采集终端等对功耗与稳定性要求严苛的场景;  
- 视频处理终端:安防 DVR/NVR、车载视觉系统中用于帧缓存与实时图像处理;  
- 航空航天与国防嵌入式系统(选用工业级版本时):满足抗振、宽温及长期供货需求。

该器件采用 96-ball FBGA 封装,支持 ZQ 校准、自刷新、部分阵列自刷新(PASR)等低功耗特性,适用于空间受限、注重能效比的嵌入式设计。注意:选型时需确认实际供应链来源(通常为 Micron 原厂,Microchip 作为授权分销商或整合方案提供商参与)。
产品参数 图文手册 常见问题
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