图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K128M16JT-125:KTR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K128M16JT-125:KTR价格参考。Micron Technology IncMT41K128M16JT-125:KTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41K128M16JT-125:KTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41K128M16JT-125:KTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MT41K128M16JT-125:KTR 是 Microchip Technology(注:实际该器件原属Micron美光,Microchip 并未生产 DDR3L SDRAM;此处存在品牌归属误标,应为 Micron 原厂、现由 Microchip 通过收购部分业务或分销渠道提供,但主流资料仍归于 Micron)推出的 2Gb(128M×16)DDR3L 同步动态随机存取存储器(Low Voltage DDR3),工作电压 1.35V,时钟频率达 800 MHz(1600 MT/s),带温度传感器与工业级可靠性(–40°C 至 +95°C TC)。 典型应用场景包括: - 工业自动化设备:PLC、HMI、运动控制器等需宽温、高可靠内存的嵌入式系统; - 网络通信设备:中低端交换机、路由器、网关的报文缓存与控制平面内存; - 医疗电子设备:便携式监护仪、影像采集终端等对功耗与稳定性要求严苛的场景; - 视频处理终端:安防 DVR/NVR、车载视觉系统中用于帧缓存与实时图像处理; - 航空航天与国防嵌入式系统(选用工业级版本时):满足抗振、宽温及长期供货需求。 该器件采用 96-ball FBGA 封装,支持 ZQ 校准、自刷新、部分阵列自刷新(PASR)等低功耗特性,适用于空间受限、注重能效比的嵌入式设计。注意:选型时需确认实际供应链来源(通常为 Micron 原厂,Microchip 作为授权分销商或整合方案提供商参与)。