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产品简介:
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型号为MT16JSF51264HZ-1G4D1、品牌为Micron Technology Inc.的存储器模块属于DDR4 SDRAM,容量为32GB(4Rx4配置),工作频率为2400Mbps,采用Registered ECC(寄存式纠错)技术,适用于对数据完整性与系统稳定性要求较高的服务器和工作站环境。 该模块主要应用于企业级服务器、数据中心、云计算平台及高端存储系统,广泛支持多路CPU架构和大内存容量扩展,可有效提升系统在高负载下的运行效率与可靠性。其ECC功能可自动检测并纠正单比特内存错误,防止数据损坏,保障关键业务连续运行。此外,该模块还适用于需要长时间稳定工作的工业自动化设备、网络通信设备以及虚拟化平台等场景。 由于其注册缓冲设计,该内存模块降低了主板内存控制器的电气负载,提高了系统在安装多条内存时的稳定性,特别适合构建大型数据库、虚拟机集群和高性能计算(HPC)系统。总体而言,MT16JSF51264HZ-1G4D1是一款面向企业级应用的高可靠性内存解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 存储卡,模块 |
| 描述 | MODULE DDR3 SDRAM 4GB 204SODIMM |
| 产品分类 | 存储器 - 模块 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MT16JSF51264HZ-1G4D1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 其它名称 | 557-1474 |
| 存储器类型 | DDR3 SDRAM |
| 存储容量 | 4GB |
| 封装/外壳 | 204-SODIMM |
| 标准包装 | 100 |
| 速度 | 1333MT/s |