【未分类_MS1008】封装/厂家_MS1008中文资料_价格

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型号： MS1008
制造商： Advanced Semiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MS1008由Advanced Semiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MS1008价格参考。Advanced Semiconductor, Inc.MS1008封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MS1008参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MS1008 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MS1008 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下）推出的一款硅NPN射频双极结型晶体管（RF BJT），专为高频、中功率放大应用优化。其典型应用场景包括：  

- VHF/UHF频段功率放大器：适用于30–500 MHz频段，常用于业余无线电（HAM）、短波通信、车载电台及VHF/UHF对讲机的末级或驱动级放大；  
- 宽带线性放大模块：凭借良好的增益平坦度与线性度，可用于宽带通信设备中的射频前端放大；  
- 工业与军事通信系统：如战术电台、雷达收发组件、电子对抗（ECM）设备中的中功率射频放大环节；  
- 测试仪器与信号源：在射频信号发生器、功率放大器模块等ATE（自动测试设备）中作为稳定可靠的放大器件。  

该器件采用金属陶瓷封装（如TO-66），具备良好散热性与高频稳定性，典型工作条件为VCE = 28 V、IC = 1 A，fT ≈ 175 MHz，适合连续波（CW）或调制信号（如AM/FM/SSB）放大。需注意其非为现代LDMOS或GaN器件，不适用于GHz以上高频或高效率开关应用，但因其成熟可靠、成本适中，在中低频射频功放领域仍有实用价值。  

（注：Microsemi于2018年被Microchip收购，MS1008已停产，现多作为替代选型参考或用于维护老旧设备。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Advanced Semiconductor, Inc.
产品目录	半导体
描述	射频双极晶体管 RF Transistor
产品分类	分离式半导体
产品手册
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. MS1008
产品型号	MS1008
产品种类	射频双极晶体管
功率耗散	233 W
发射极-基极电压VEBO	4 V
商标	Advanced Semiconductor, Inc.
安装风格	Through Hole
封装	Tray
封装/箱体	M164
技术	Silicon
晶体管极性	NPN
晶体管类型	Bipolar Power
最大工作温度	+ 150 C
最大工作频率	30 MHz
最小工作温度	- 65 C
直流集电极/BaseGainhfeMin	15
类型	RF Bipolar Power
配置	Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压VCEO	55 V
集电极连续电流	10 A
频率	30 MHz