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- 型号： MRFG35020AR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35020AR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35020AR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35020AR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35020AR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35020AR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35020AR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（严格归类为射频场效应晶体管），工作频率高达 2.5 GHz，典型用于 2.4–2.5 GHz 频段。其主要应用场景包括： - Wi-Fi 无线通信系统：广泛用于 IEEE 802.11b/g/n/ac 的 2.4 GHz 室内/室外接入点（AP）、路由器及中继器的末级功率放大器（PA），提供高增益（典型14 dB）、高效率（PAE约60%）和优异线性度； - ISM 频段工业设备：如无线传感器网络、智能电表、RFID读写器等需稳定2.4 GHz发射能力的低功耗工业物联网终端； - 短距离无线应用：蓝牙网关、Zigbee协调器等多协议共存设备中的射频前端放大模块； - 小型基站与分布式天线系统（DAS）：作为微蜂窝或微微蜂窝基站的射频功放单元，满足紧凑尺寸与热稳定性要求（采用SOT-89-5封装，支持良好散热）。 该器件具备5 V单电源供电、内置ESD保护及高可靠性设计，适用于对尺寸、功耗与成本敏感的消费电子与工业无线产品。注意：其非通用开关/电源类MOSFET，不适用于DC-DC转换或电机驱动等低频功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 20W GAAS NI-360 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFG35020AR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | NI-360 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 300mA |
| 频率 | 3.5GHz |
| 额定电流 | - |
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