Datasheet下载- 型号： MRFG35010NT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010NT1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35010NT1 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（严格归类为射频场效应晶体管，非硅基MOSFET），工作频率高达 3.5 GHz，典型应用在 2.4–2.5 GHz 和 3.3–3.8 GHz 频段。其主要应用场景包括： - Wi-Fi 6/6E 基站与接入点射频前端：作为2.4 GHz和5 GHz（通过谐波抑制设计）频段的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率； - 小型蜂窝基站（Small Cell）：适用于微基站、皮基站中低功耗、高集成度的射频发射链路； - 无线宽带通信设备：如WLAN AP、点对点微波回传（部分窄带配置）、WiMAX终端射频模块； - 工业/医疗射频源：在ISM频段（如2.45 GHz）用于RF加热、等离子体激发等中功率连续波（CW）或调制信号场景。 该器件采用SOT-89封装，具备良好的热稳定性与增益（典型P1dB=31 dBm，Gp≈12 dB @ 2.45 GHz），支持5V单电源供电，适合空间受限、需快速部署的射频功率放大应用。注意：其GaAs工艺特性决定其不适用于通用开关或音频/电源管理场景，仅限射频功率放大用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF 3.5GHZ 9W 12V 1.5-PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010NT1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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