Datasheet下载- 型号： MRFG35010
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35010由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35010价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35010封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35010参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35010 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFG35010 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 GaAs pHEMT 射频功率MOSFET（严格归类为射频场效应晶体管），专为2.4–2.5 GHz频段设计。其典型应用场景包括： - Wi-Fi 无线通信系统：广泛用于802.11b/g/n/ac路由器、接入点（AP）、客户端设备的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率输出； - ISM频段工业/医疗设备：如2.45 GHz微波加热控制、无线传感器网络、RFID读写器及短距无线传输模块； - 小基站与分布式天线系统（DAS）：适用于低功耗、紧凑型室内蜂窝覆盖设备中的射频前端； - 物联网（IoT）网关与智能终端：满足对尺寸、散热和能效敏感的嵌入式射频应用需求。 该器件采用SOT-89封装，具备10 W连续波（CW）输出能力（典型值）、高增益（>13 dB）和良好热稳定性，支持单电源偏置（+7 V至+12 V），简化外围电路设计。需配合匹配网络与适当散热措施以发挥最佳性能。 注意：MRFG35010非硅基MOSFET，而是砷化镓（GaAs）工艺的射频专用pHEMT器件，强调高频功率放大特性，不适用于开关电源或数字逻辑等通用MOSFET场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ NI360HF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35010 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-360HF |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB |
| 封装/外壳 | NI-360HF |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 180mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 2.9A |
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