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- 型号： MRF8S9220HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9220HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9220HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9220HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S9220HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9220HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S9220HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 900 MHz 频段（典型工作频率：869–960 MHz）设计，采用气腔封装（Overmolded Air Cavity），具备高增益、高效率和优异热稳定性。其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 2G/3G/4G（如 GSM、EDGE、UMTS、LTE-FDD/TDD）宏基站及微基站的末级射频功放（PA）模块，支持高达 220 W 的峰值输出功率（脉冲模式）或 40 W 平均输出功率（连续波/CDMA/LTE 信号）。 - 无线基础设施设备：适用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中的宽带射频发射链路。 - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、数字地面电视（DTTV）发射机、ISM 频段（如 915 MHz）工业加热或医疗射频源等中高功率射频应用。 该器件支持高线性度工作，配合数字预失真（DPD）技术可满足 LTE 20 MHz 带宽下严格的 ACPR（邻道功率比）要求；内置ESD保护与高可靠性设计，适配严苛的户外基站环境。需搭配匹配电路、散热器及稳定偏置电源使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9220HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 65W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.4db |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | - |
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