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- 型号： MRF8S19260HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S19260HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S19260HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S19260HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S19260HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S19260HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S19260HR6是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，主要用于高功率射频放大应用。该器件典型应用于4G LTE和5G通信基站的宏蜂窝功率放大器中，工作频率范围覆盖790 MHz至960 MHz，特别适用于Band 13、Band 14、Band 17等北美地区主流蜂窝频段。 其主要应用场景包括无线基础设施中的基站发射系统，支持高效率、高线性度的信号放大，满足现代移动通信对高数据速率和稳定覆盖的需求。由于具备出色的功率增益和热稳定性，MRF8S19260HR6可在高输出功率下长时间可靠运行，适合部署在城市密集区、郊区及农村地区的通信基站中。 此外，该器件也适用于需要高可靠性与宽温度范围工作的工业射频设备，如公共安全通信系统、应急网络和专用无线网络。其符合RoHS标准，采用先进的封装技术，便于散热管理与系统集成，广泛用于电信运营商认可的射频功率模块设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S19260HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230-8 |
| 功率-输出 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | - |
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