【未分类_MRF8S18260HR5】封装/厂家_MRF8S18260HR5中文资料_价格

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型号： MRF8S18260HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18260HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18260HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18260HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S18260HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18260HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S18260HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.6 GHz 频段设计，典型应用于蜂窝通信基站的射频功率放大器（PA）模块。其主要应用场景包括：  
• 4G LTE 宏基站与小型基站（Small Cell）：支持高效率、高线性度的多载波信号放大，适用于 Band 3（1800 MHz）、Band 7（2600 MHz）等主流LTE频段；  
• 5G Sub-6 GHz 基站前级/末级功放：在2.6 GHz频段可作为中功率输出级，配合DPD（数字预失真）技术实现高ACLR性能，满足5G NR对邻道泄漏比（≥45 dBc）的严苛要求；  
• 无线基础设施中的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）：具备高增益（典型18 dB @ 2.14 GHz）、高输出功率（连续波下可达260 W，脉冲/平均功率应用中常用60–120 W POUT）及优异热稳定性；  
• 工业与专用无线系统：如公共安全通信、宽带无线接入（WiMAX遗留系统）及测试仪器中的射频信号源驱动级。  
该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性散热设计，需搭配匹配网络与稳定偏置电路使用。注意：实际应用须严格遵循NXP官方参考设计、PCB布局指南及ESD防护规范。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 260W NI1230-8
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S18260HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI1230-8
功率-输出	74W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.9dB
封装/外壳	SOT-1110A
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	50
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	1.6A
频率	1.81GHz
额定电流	-