【未分类_MRF8P26080HR3】封装/厂家_MRF8P26080HR3中文资料_价格

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型号： MRF8P26080HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P26080HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P26080HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P26080HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P26080HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P26080HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P26080HR3 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频功率 MOSFET，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型用于 LTE-TDD、5G NR n41 频段），采用高可靠性 LDMOS 工艺及气腔封装（NI-780H），支持连续波（CW）和高效率脉冲/调制信号工作。

其主要应用场景包括：  
✅ 5G 基站射频功放模块：作为宏基站或小型基站（Small Cell）末级功率放大器（PA），支持 2.6 GHz TD-LTE 和 3.5 GHz 邻近频段（通过谐波与匹配优化），满足高线性度（DPD 兼容）、高增益（>17 dB）和高效率（典型 PAE >55% @ 2.65 GHz）要求；  
✅ 无线通信基础设施：适用于多载波 GSM/UMTS/LTE/5G 系统中的宽带功率放大器，支持 20–80 W 输出功率（P1dB ≈ 50 W，Psat > 80 W）；  
✅ 广播与工业射频源：在 ISM 类应用（如等离子体发生器、医疗射频设备）中作为稳定可靠的 2.6 GHz 功率级器件；  
✅ 雷达与电子对抗系统：适用于中短距 S 波段固态发射模块，具备良好热稳定性与抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1 耐受）。

该器件需配合匹配网络、高效散热设计（推荐铜基板+强制风冷）及精准偏置电路使用，广泛应用于通信设备制造商（如爱立信、诺基亚供应链）及射频子系统方案商。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 65V NI780-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF8P26080HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780-4
功率-输出	14W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15dB
封装/外壳	NI-780-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	300mA
频率	2.62GHz
额定电流	-