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- 型号： MRF8P23080HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P23080HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P23080HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P23080HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P23080HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P23080HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P23080HSR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计生产，Fremont Micro Devices 通常为分销商或标签贴牌方，非原始制造商）推出的高性能射频功率 MOSFET，属 LDMOS 工艺，工作频率范围为 1.8–2.3 GHz，典型输出功率达 80 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。 主要应用场景包括： - 4G/5G蜂窝基站：作为宏基站或小型基站（Small Cell）末级功放（PA），支持 Band 1/3/7/38/40/41 等主流TDD/FDD频段； - 无线基础设施设备：如远程射频单元（RRU）、有源天线系统（AAS）中的多载波预失真（DPD）兼容功率放大模块； - ISM频段工业应用：2.4 GHz 频段的无线能量传输、等离子体发生器及医疗射频设备（如射频消融仪驱动级）； - 测试与仪表：射频信号源、功率放大器模块及EMC抗扰度测试系统的激励级放大器。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1228，即NI-780H），具备优异热性能与高可靠性，支持高电压（VDD=32 V）、高增益（>17 dB）和高效率（典型PAE >55%），并内置ESD保护，适合严苛的通信环境部署。需配合匹配网络、稳定偏置电路及散热设计使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P23080HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 16W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 280mA |
| 频率 | 2.3GHz |
| 额定电流 | - |
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