Datasheet下载- 型号： MRF8HP21080HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21080HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21080HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21080HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8HP21080HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21080HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8HP21080HR3 是 NXP（原 Freescale）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA/LTE Band 1/25）基站应用设计。其典型应用场景包括： - 宏蜂窝/微蜂窝基站功率放大器（PA）：作为末级功放，支持高线性度、高效率（典型PAE达65% @ 2.14 GHz），适用于4G LTE及向5G过渡的多载波系统； - 无线基础设施设备：用于远程射频单元（RRU）、分布式基站（DAS）和小基站（Small Cell）中的宽带射频发射链路； - 工业与专用通信系统：如公共安全通信（TETRA、P25）、广播辅助发射、测试仪器射频源模块等需高可靠性与热稳定性的场景。 该器件采用气腔封装（NI-780H），具备优异散热能力与高输出功率（连续波下典型Pout=80W，脉冲模式可达更高），支持高VSWR耐受（10:1），适合严苛部署环境。其内置ESD保护与优化的栅极驱动特性，便于匹配设计并提升系统鲁棒性。 注：已停产（NXP官网标注NRND），当前多用于存量设备维护或替代方案评估，新设计建议参考NXP最新系列（如MRFE6VP8600H）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 16W NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8HP21080HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 16W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.4dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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