Datasheet下载- 型号： MRF7S38010HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38010HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38010HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38010HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S38010HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38010HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S38010HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站：适用于 3.3–3.8 GHz 频段（如 TDD-LTE、5G NR n77/n78 频段），常用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持高输出功率（典型10 W连续波，峰值更高）与高增益（>16 dB）。 - 无线基础设施设备：用于多载波、宽带预失真（DPD）系统，具备优异的线性度（ACLR/ACPR 性能好）和热稳定性，满足 5G 多频段、高阶调制（256-QAM）对信号保真度的严苛要求。 - 微波点对点通信：在 3.5 GHz 公共无线接入（如 WiMAX 演进或专网回传）中作为发射链路功放器件。 - 工业与科研射频源：如医疗射频消融设备、等离子体发生器或测试仪表中的固态射频激励模块（需搭配匹配电路与散热设计）。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持高可靠性、高功率密度安装；需配合外部输入/输出阻抗匹配网络及良好散热（建议使用铜基PCB或散热片）。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38010HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S-240 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-400S-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 160mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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