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- 型号： MRF7S21150HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21150HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21150HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21150HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21150HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21150HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21150HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS2100）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括： - 4G LTE宏基站功率放大器（PA）：适用于中高功率输出级，支持150 W峰值功率（脉冲模式），在2.14 GHz下可提供约100 W平均输出功率（ACLR达标），满足严苛的线性度与效率要求。 - 多载波宽带通信系统：具备优异的增益平坦度（±0.3 dB）、高功率附加效率（PAE ≈ 55% @ 2.14 GHz）及良好的热稳定性，适合多载波WCDMA/LTE信号放大，有效抑制邻道泄漏比（ACLR < –45 dBc）。 - 远程射频单元（RRU）与有源天线系统（AAS）：采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），散热性能优异，支持高可靠性连续波（CW）或复杂调制信号长期运行，适配紧凑型RRU结构。 - 小基站增强与分布式天线系统（DAS）：在中等功率回传链路或室内覆盖场景中，可作为高效、线性度优的末级驱动级。 该器件需配合NXP推荐的匹配网络、偏置电路及热管理方案使用，广泛应用于电信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的基站射频子系统中，强调高效率、高线性与高可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 44W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21150HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 44W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.35A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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