Datasheet下载- 型号： MRF7S19080HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19080HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19080HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19080HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19080HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19080HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19080HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达 1.9 GHz（典型用于 1805–1990 MHz 频段），主要用于蜂窝通信基站中的功率放大器（PA）模块。其典型应用场景包括： - 4G LTE 宏基站/微基站发射链路：作为末级功放（Final PA），支持高线性度与高效率（在 1.9 GHz、28 V 偏置下，典型输出功率达 80 W，增益约 17 dB，PAE ≥ 55%）； - 多载波宽带系统：具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，满足LTE多载波（如2×20 MHz）严苛线性度要求； - Doherty 架构功放设计：常用于主/辅放大器单元，提升平均效率； - 无线基础设施设备：如RRU（射频拉远单元）、一体化小站及有源天线系统（AAS）中的射频前端； - 符合工业级可靠性标准：支持连续波（CW）与调制信号（如OFDM、WCDMA）长期稳定运行，适用于室外高温、高湿等严苛环境。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备良好散热能力，需配合匹配网络与稳定偏置电路使用，广泛应用于电信设备商（如华为、爱立信、诺基亚）的基站射频解决方案中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19080HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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