【未分类_MRF7S18170HR3】封装/厂家_MRF7S18170HR3中文资料_价格

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型号： MRF7S18170HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18170HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18170HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18170HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S18170HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18170HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S18170HR3 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其原始制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率范围为1.8–2.2 GHz，典型用于1800–1990 MHz频段（如B1/B3 LTE、WCDMA、5G Sub-6 GHz基站）。  

其主要应用场景包括：  
- 4G/5G宏基站功率放大器（PA）：适用于小基站（Small Cell）及分布式基站（DAS）中的末级功放，支持高线性度调制（如256-QAM），满足ACLR与EVM严苛指标；  
- 无线基础设施设备：如直放站、室内覆盖系统、微波回传中继放大模块；  
- 工业与专用通信系统：如公共安全宽带集群（TETRA、P25增强型）、专网LTE（e.g., B-TrunC）、无人机图传发射链路等中功率射频发射场景。  

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备高增益（≥17 dB）、高效率（典型PAE >55% @ 170W Pout）、优异热稳定性及内置ESD保护，适合连续波（CW）与高峰均比（PAR）信号（如OFDM）长期可靠运行。  

注意：选型时需配合匹配电路、稳定偏置网络及高效散热设计（推荐热阻≤0.25°C/W），并严格遵循NXP官方数据手册（Rev. 3）进行PCB布局与驱动级协同优化。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF LDMOS NI-880
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S18170HR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880
功率-输出	50W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	NI-880
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.4A
频率	1.81GHz
额定电流	10µA