【未分类_MRF7S18125AHSR3】封装/厂家_MRF7S18125AHSR3中文资料_价格

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型号： MRF7S18125AHSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S18125AHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S18125AHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S18125AHSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S18125AHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S18125AHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S18125AHSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为1805–1880 MHz（适用于B3上行/下行频段），额定输出功率达125 W（连续波），峰值功率能力优异，具备高增益（约18 dB）和高漏极效率（>65% @ 1880 MHz）。

主要应用场景包括：  
✅ 4G LTE宏基站功率放大器：广泛用于蜂窝通信基础设施中，作为末级功放（PA），支持多载波信号（如20 MHz带宽内多通道LTE），满足ACLR（邻道泄漏比）等严苛线性度要求；  
✅ 5G Sub-6 GHz预商用/增强型小基站（Massive MIMO有源天线单元AAU）：在部分中频段（如1.8 GHz）系统中用作高可靠性射频功放模块核心器件；  
✅ 无线宽带接入设备（如WiMAX、专用无线通信系统）及广播发射辅助放大链路；  
✅ 工业与科研射频加热、等离子体发生器等中高频大功率固态源（需配合匹配电路与散热设计）。

该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持高功率密度与良好热管理，需搭配NXP推荐的驱动级（如MRF7S18125N）及精确阻抗匹配网络使用。注意：实际应用须遵循NXP官方数据手册（Rev. 2）、AN1955等设计指南，并通过PCB布局、接地、散热及偏置稳定性优化确保性能与长期可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH CW 125W NI780S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S18125AHSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780S
功率-输出	125W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17dB
封装/外壳	NI-780S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.1A
频率	1.88GHz
额定电流	10µA