图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF6VP41KHSR7
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP41KHSR7由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP41KHSR7价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP41KHSR7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6VP41KHSR7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP41KHSR7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6VP41KHSR7 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，主要用于 1.8–2.2 GHz 频段（如 S 波段）的高功率、高效率射频放大应用。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：适用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的末级功放（PA），支持宏基站和中功率远程射频单元（RRU）； - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）及有源天线单元（AAU）中的宽带射频输出级； - 广播与通信系统：用于数字电视（ATSC/TB）发射机、公共安全通信（如 TETRA、P25）及军用/航空通信的固态射频功放模块； - 工业与科研设备：如射频加热、等离子体发生器及测试测量仪器中的大信号激励源。 该器件采用高可靠性陶瓷封装（SOT-1222A），支持连续波（CW）和高脉冲功率工作，具备优异的热稳定性、高增益（典型>18 dB）和高效率（典型>65% @ 2.14 GHz），并集成ESD保护，适合严苛环境下的长期运行。需配合匹配网络、散热器及偏置电路使用，常用于多级放大链路的输出级。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1000W NI1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6VP41KHSR7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | 5mA |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF6VP41KHSR7 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商