Datasheet下载- 型号： MRF6V4300NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V4300NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V4300NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V4300NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V4300NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V4300NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6V4300NBR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为超高频、高功率射频放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：适用于 2.1–2.7 GHz 频段（如 LTE、5G Sub-6 GHz 宏基站和微基站），支持高效率（>65% 漏极效率）、高线性度和高输出功率（连续波下可达 300 W，脉冲模式更高）。 - 无线通信基础设施：用于多载波宽带放大器（如 Doherty 架构），满足 5G Massive MIMO 和载波聚合（CA）对动态范围与ACLR性能的严苛要求。 - 广播与工业射频源：适用于 UHF 频段电视发射机、RF 加热、等离子体发生器等需稳定高功率射频输出的工业设备。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力与高可靠性，支持宽带匹配设计，并兼容主流射频电路布局与偏置方案。其 R1 后缀表示卷带包装，适用于自动化贴片生产。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 300W TO-272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6V4300NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 450MHz |
| 额定电流 | 2.5mA |
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