Datasheet下载- 型号： MRF6V12250HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V12250HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V12250HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V12250HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6V12250HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V12250HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.生产的MRF6V12250HSR5是一款射频（RF）功率MOSFET晶体管，专为高频和高功率应用设计。以下是其主要应用场景： 1. 无线通信基础设施 - 基站放大器：该器件适用于4G/5G无线通信基站中的射频功率放大器，能够提供高效的信号放大能力。 - 中继器和直放站：用于增强信号覆盖范围的设备中，确保信号强度和质量。 2. 工业、科学和医疗（ISM）领域 - 射频加热和等离子体生成：在工业微波炉、焊接设备以及等离子体处理设备中，用于高效能量转换。 - 医疗设备：如射频治疗仪或诊断设备，需要高精度和高稳定性的功率输出。 3. 广播系统 - 调频（FM）和电视广播：作为射频功率放大器的核心元件，支持高质量音频和视频信号的传输。 - 短波广播：在长距离通信中提供稳定的功率输出。 4. 航空航天与国防 - 雷达系统：用于气象雷达、空中交通管制雷达等，提供高增益和低失真的信号放大。 - 卫星通信：在地面站设备中用作功率放大器，确保数据链路的可靠性和稳定性。 5. 测试与测量设备 - 信号发生器和频谱分析仪：在这些仪器中，MRF6V12250HSR5可提供精确的射频信号源或放大功能。 6. 业余无线电 - 自制射频发射机：供无线电爱好者使用，用于构建高性能的业余无线电设备。 性能特点 - 高功率输出：适合需要大功率射频信号的应用。 - 宽带宽性能：支持多种频率范围，适应不同通信标准。 - 高效率和低失真：确保信号质量和设备性能。 总结来说，MRF6V12250HSR5广泛应用于需要高功率、高效率射频信号处理的场景，尤其是在通信、工业和国防领域具有重要价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6V12250HSR5 |
| PCN组件/产地 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15758.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 275W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 100V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.03GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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