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- 型号： MRF6S9130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF6S9130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9130HSR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计生产，Fremont Micro Devices 通常为分销商或品牌授权合作伙伴，并非原始制造商）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达1.9 GHz，典型用于900–1300 MHz频段，额定输出功率达130 W（连续波，CW），具备高增益（约18 dB）、高效率（典型65%）和优异的热稳定性。 其主要应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：尤其适用于GSM、UMTS、LTE等通信标准的宏基站（Macrocell）末级功放模块； - 无线基础设施设备：如分布式基站（BBU+RRU架构）中的远程射频单元（RRU）发射链路； - 宽带射频功率放大系统：支持多载波信号（如WCDMA、OFDMA），适用于需高线性度与宽动态范围的场景； - 工业与军事通信系统：如点对点微波中继、战术电台、雷达激励级等对可靠性与功率密度要求较高的射频子系统。 该器件采用陶瓷金属封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，具备出色的ESD防护与雪崩耐受能力，适合长期连续高功率运行。用户在应用时需配合匹配网络、稳定偏置电路及充分散热设计，以确保性能与寿命。 （注：选型前请务必核实最新官方数据手册，并确认供应商资质与型号真实性。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF6S9130HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 950mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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